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【キーワード】
1.パワーデバイス 2.SiCデバイス 3.GaNデバイス
【講座の課題と狙い】
パワー半導体デバイスは、各種電源やインバータなどのパワーエレクトロニクス装置のキーデバイスとして使用されており、これらの装置の省エネ・小型化などのために重要である。近年地球温暖化防止に向けた種々の取り組みが世界的規模で進んでおり、その重要性は益々向上している。本講演では、これらの流れを把握できるように、基本的な動作原理から最新の研究成果の紹介と応用に向けた基礎技術の概要を紹介する。
【プログラム】
1.概論
1-1 パワー半導体素子への期待
1-2 パワー半導体素子の定義と特長
2.素子の動作原理と基本特性
2-1 SBD
2-2 pinダイオード
2-3 MOSFET
2-4 IGBT
2-5 各素子の比較
2-6 新材料デバイス
3.高性能化のための素子開発動向
3-1 ダイオードの研究課題と成果
3-2 MOSFETの研究課題と成果
3-3 IGBTの研究課題と成果
3-4 SiCデバイスの研究課題と成果
3-5 GaNデバイスの研究課題と成果
4.高性能化のための素子応用技術
4-1 安全動作領域
4-2 保護技術
4-3 ソフトスイッチング回路技術
4-4 同期整流回路技術
5. 応用装置の展開
5-1 電動機(モータ)駆動分野
5-2 電源分野
5-3 電力分野
5-4 家電分野
【質疑応答・名刺交換】